用CVD和高温退火技术制备大晶粒多晶硅薄膜

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多晶硅薄膜是许多小单晶的集合体,存在大量的晶界。这些晶界把小的单晶体相互分隔,构成了材料的内表面,具有很高的态密度,对光生载流子起着复合中心的作用。晶界密度(或品界复合截面)越高,光生载流子的复合效应越强,这对于半导体器件的制作是十分有害的。 为了降低晶界效应,T.L.Chu等曾利用单向再结晶技术,用经过化学提纯的冶金硅粉 Polycrystalline silicon thin film is a collection of many small crystals, there are a large number of grain boundaries. These grain boundaries separate the small single crystals from each other and form the inner surface of the material with a high density of states that act as a recombination center for photo-generated carriers. The higher the grain boundary densities (or composite cross-sections), the stronger the recombination effect of photogenerated carriers, which is very detrimental to the fabrication of semiconductor devices. In order to reduce the grain boundary effect, T.L.Chu et al. Have used one-way recrystallization technology, with chemically purified metallurgical silicon powder
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