Si──FEA冷发射微阴极阵列实验研究

• 作 者: 肖兵 杨谟华 杨中海
• 机 构: 电子科技大学微电子科学与工程系
• 出 处: 电子科技大学学报
• 发表日期: 1996年06期
• 关键词: 冷发射 FEA Si 阴极材料 尖锥 微电子工艺 技术报道 场致发射 阳极电流 栅极电压

对Ｓｉ—ＦＥＡ冷发射微阴极阵列的微电子工艺技术制各方案及其测试观察结果进行了技术报道。已经获得了２０×２０／１００×１００硅尖锥阵列和栅压在１００～４００ｖ之间５０μＡ冷发射阳极电流。

Technical reports on various schemes and test results of microelectronic technology for Si-FEA cold-cathode micro-cathode array have been reported. A 20x20 / 100x100 silicon cone array has been obtained and a 50μA cold-emission anode current with a gate voltage between 100-400V has been obtained.