热氧化温度对基于硅纳米线阵列太阳电池性能的影响

• 作 者: 林星星
• 机 构: 上海电机学院数理教学部
• 出 处: 上海电机学院学报
• 发表日期: 2013年1期
• 关键词: 热氧化 硅纳米线阵列 钝化 太阳电池 thermal oxidation silicon nanowire passivation solar cell
• 基金项目: 基金项目：上海高校青年教师培养资助计划项目资助（sdju1102）,上海电机学院学科基础建设项目资助（12XKJC01）

通过干氧热氧化方法在硅纳米线阵列表面生长一层SiO2钝化膜，研究不同热氧化温度对硅纳米线阵列的钝化效果的影响。实验结果表明，在850℃热氧化温度下得到SiO2钝化膜具有最佳的钝化效果。经过该方式钝化后的硅纳米线阵列具有最大的有效少子寿命，最好的内量子效率曲线，以及最好的太阳能转换效率。与未做热氧化钝化处理的基于硅纳米线阵列电池相比，该电池的短路电流、开路电压和转换效率分别提高了96mA、12．7mV和0．99％。