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,Energy-band alignment of atomic layer deposited (HfO2)x(Al2O3) 1-x gate dielectrics on 4H-SiC
【机 构】
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School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China“,”State Grid Smart Grid Research
【出 处】
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中国物理B（英文版）
【发表日期】
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2015年3期
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