【摘 要】
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采用LEC方法,以In As和InP多晶为原料,研制出Y=0.17-0.21的InAs_(1-y)P_y固溶体。在室温时材料的载流子浓度为2～9×10~(16)/厘米~3,电子迁移率大于1×10~4厘米~2/伏秒。实验证
【机 构】
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冶金部有色金属研究总院,冶金部有色金属研究总院,冶金部有色金属研究总院,冶金部有色金属研究总院,
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采用LEC方法,以In As和InP多晶为原料,研制出Y=0.17-0.21的InAs_(1-y)P_y固溶体。在室温时材料的载流子浓度为2～9×10~(16)/厘米~3,电子迁移率大于1×10~4厘米~2/伏秒。实验证明:选择适当小的生长速度并轻掺碲,对提高材料质量和元件性能是重要的。用该材料研制的YH-1型霍尔元件,其主要参数均达到实用要求。
The InAs_ (1-y) P_y solid solution with Y = 0.17-0.21 was prepared by the LEC method using In As and InP as raw materials. The carrier concentration is 2 ~ 9 × 10 ~ (16) / cm ~ 3 and the electron mobility is more than 1 × 10 ~ 4cm ~ 2 / Vsec at room temperature. Experiments show that: select the appropriate small growth rate and light tellurium, to improve material quality and component performance is important. YH-1 type Hall element developed with this material, the main parameters have reached the practical requirements.
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