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介绍了一种利用标准单电子隧穿理论与Monte-Carlo 方法模拟二维量子点阵列的程序.数值计算结果表明,二维量子点阵在低温下有库仑充电行为,其量子功能作用使它显示出可喜的研究价值和应用前景
二维纳米点阵列的Monte-Carlo模拟
【摘 要】
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介绍了一种利用标准单电子隧穿理论与Monte-Carlo 方法模拟二维量子点阵列的程序.数值计算结果表明,二维量子点阵在低温下有库仑充电行为,其量子功能作用使它显示出可喜的研
【机 构】
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长沙铁道学院信息学院材料研究所,长沙,410075华中理工大学物理系,武汉,430074;
【出 处】
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物理学报
【发表日期】
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2000年8期
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