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  5. Microstructure and electrical properties of CeO2 ultra-thin films for MFIS FeRAM applications

Microstructure and electrical properties of CeO2 ultra-thin films for MFIS FeRAM applications

来源 :Transactions of Nonferrous Metals Society of China | 被引量 : 0次 | 上传用户：Linhan
【摘 要】
：
A detailed investigation about the dependence of microstructure and electrical properties on annealing temperature was carried out for cerium oxide(CeO2) ultra-
【作 者】
：
唐明华 周益春 郑学军 魏秋平 成传品 叶志 胡增顺 
【机 构】
：
FacultyofMaterialsandOptoelectricPhysics,KeyLaboratoryofLowDimensionalMaterialsandApplicationTechnol
【出 处】
：
Transactions of Nonferrous Metals Society of China
【发表日期】
：
2007年A02期
【关键词】
：
二氧化铈超薄膜 微观结构 介电性能 射频磁电管反应溅射法 CeO2 thin film  RF magnetron sputtering  microstruc 
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A detailed investigation about the dependence of microstructure and electrical properties on annealing temperature was carried out for cerium oxide(CeO2) ultra-thin films(18 nm to 110 nm) on n-type Si(100) substrates by RF magnetron sputtering. Substrate
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