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本文介绍了ＭＯＣＶＤ生长的高质量ＧａＡｓ和ＡｌＡｓ材料以及（Ａｌ）ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ分别限制单量子阱激光器，ＧａＡｓ材料的７７Ｋ迁移率为１２２．７００ｃｍ＾２／（Ｖ．ｓ），ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ具有均匀陡变的界面，激光器的最大光输出功率为４Ｗ，平均光功率密度达４ＭＷ／ｃｍ＾２，斜率疚为２．１Ｗ／Ａ，在１Ｗ恒功老化４０００小时电流增加小于１０％，预计寿命可超过两万小时。