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结合X射线衍射技术以及逐层化学腐蚀剥离损伤层的方法,定量分析了InSb晶体由于切割、研磨、抛光等工艺所引入的损伤层的深度,并探讨了损伤层结构及引入因素。研究结果表明,切割加工是引入InSb晶片表面损伤层的主要工序,其表面损伤层的深度达到16μm左右;双面研磨的InSb晶片表面的损伤层深度约为12μm;经机械化学抛光加工后的InSb晶片表面的损伤层深度明显减小,约为2μm。