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在分析4H-SiC肖特基势垒二极管正向电流热电子发射理论的基础上,计算了肖特基势垒高度eff和串联电阻Ron.通过对反向电流各种输运机制的分析,提出了一种计算反向电流密度的理论模型.计算结果与实验数据的比较表明,隧道效应是反向电流的主要输运机理.
4H—SiC肖特基势垒二极管伏—安特性的解析模型
【摘 要】
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在分析4H-SiC肖特基势垒二极管正向电流热电子发射理论的基础上,计算了肖特基势垒高度eff和串联电阻Ron.通过对反向电流各种输运机制的分析,提出了一种计算反向电流密度的
【机 构】
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西安电子科技大学微电子所
【出 处】
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西安电子科技大学学报
【发表日期】
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2001年4期
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