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离子注入工艺各个参数的调整
离子注入工艺各个参数的调整
来源 :微处理机 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yangjianglong
【摘 要】
:
本文以美国EATON公司的中束流注入机为例,阐述了IC芯片生产过程中离子注入工艺如何实现高质量注入;标准注入参数的调整,以及实现高速注入所应采取的各种手段,尽量发挥离子注
【作 者】
:
王笑然
高松
【机 构】
:
东北微电子研究所
【出 处】
:
微处理机
【发表日期】
:
2004年3期
【关键词】
:
BEAM
Current束流
Uniformity均匀性
Beam currentUniformity
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本文以美国EATON公司的中束流注入机为例,阐述了IC芯片生产过程中离子注入工艺如何实现高质量注入;标准注入参数的调整,以及实现高速注入所应采取的各种手段,尽量发挥离子注入机的潜能,使中束流注入机也可以注入大束流,在生产上实现高速机动,加快了工艺流程.
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