【摘 要】
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文章采用AFORS-HET(automat for simulation of heterojunctions)2.4.1版软件模拟CdS/p-Si太阳电池的结构工艺参数,如CdS半导体材料的电子亲和势、禁带宽度、p-Si和CdS的厚度
【机 构】
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佛山职业技术学院电子信息系,中山大学太阳能系统研究所物理学院
【基金项目】
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广东省分布式太阳能发电综合利用技术创新团队(自然科学,NO.2017GKCXTD008);广东科技计划项目(No.2014B040404002);广东青年创新基金(No.2015KQNCX170);佛山市太阳能应用产品科研平台(No.2014AG10013)等项目资金支持
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文章采用AFORS-HET(automat for simulation of heterojunctions)2.4.1版软件模拟CdS/p-Si太阳电池的结构工艺参数,如CdS半导体材料的电子亲和势、禁带宽度、p-Si和CdS的厚度对其光电性能的影响。模拟结果显示,CdS的电子亲和势不能低于3.8eV;随着CdS禁带宽度的增加,Voc、Jsc和Eff均逐渐减小;随着CdS厚度的增加,电池的FF、Jsc、Eff均明显下降;随着硅片厚度的增加,Jsc、Voc及Eff都有不同程度的提升。
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