【摘 要】
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介绍了ＩＧＢＴ的结构设计及终端设计，利用ＳＤＢ技术制备所需ＮＮ￣＋Ｐ￣－基片，设计了合适的工艺流程，制备出１０００Ｖ／２０Ａ的ＩＧＢＴ器件。最后给出测试结果。
The structural design and terminal design of IGBT are introd
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介绍了ＩＧＢＴ的结构设计及终端设计，利用ＳＤＢ技术制备所需ＮＮ￣＋Ｐ￣－基片，设计了合适的工艺流程，制备出１０００Ｖ／２０Ａ的ＩＧＢＴ器件。最后给出测试结果。
The structural design and terminal design of IGBT are introduced. The required NN ~ + P ~ - substrate is prepared by SDB technology. The suitable process is designed and the IGBT device with 1000V / 20A is fabricated. Finally, the test results are given.
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