【摘 要】
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1 引言rn以GaN及InGaN、AlGaN合金材料为代表的Ⅲ族氮化物材料是近几年来国际上倍受重视的新型半导体材料.其1.9-6.2eV连续可变的直接带隙,优异的物理、化学稳定性,高饱和电
【机 构】
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南京大学物理系,江苏,南京,210093中科院北京半导体研究所,北京,100083;
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1 引言rn以GaN及InGaN、AlGaN合金材料为代表的Ⅲ族氮化物材料是近几年来国际上倍受重视的新型半导体材料.其1.9-6.2eV连续可变的直接带隙,优异的物理、化学稳定性,高饱和电子漂移速度,高击穿场强和高热导率等优越性能使其成为短波长半导体光电子器件和高频、高压、高温微电子器件制备的优选材料.目前用于GaN外延生长的主要方法有:金属有机化学汽相淀积(MOCVD),分子束外延(MBE)和氢化物汽相外延(HVPE)等.其中MOCVD 是使用最广泛和实用的外延生长方法,具有很强的工业应用背景.HVPE技术因为生长速率高(可达100 μm/小时),生长设备简单,生长质量优良,被普遍认为是制备GaN厚膜、发展自支撑GaN衬底的优选技术.rn
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