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结合垂直腔面发射激光器的制备，详细研究了ＡｌＡｓ选择性湿氮氧化工艺中氧化炉温，氮气流量，水温等条件和ＡｌＡｓ薄层的横向氧化速率之间的关系及其对氧化结果的影响，给出了合理的定性解释，并得到了可精确控制氧化过程及其均匀性的工艺条件。在优化的工艺条件下运用湿氮氧化制备出低阈值的ＩｎＧａＡｓ垂直腔面发射激光器。