新型忆阻器神经形态电路的设计及其在条件反射行为中的应用

• 作 者: 徐威 王钰琪 李岳峰 高斐 张缪城 连晓娟 万相 肖建 童祎
• 机 构: 南京邮电大学电子与光学工程学院
• 出 处: 物理学报
• 发表日期: 2019年23期
• 关键词: 忆阻器 人工突触 条件反射 神经形态电路 memristorartificial synapseconditioned reflexneuromorphicci
• 基金项目: 江苏省特聘教授和南京邮电大学科研基金(批准号:SZDG20180007,NY217116,KFJJ20170101,NY219014,NY218110),中国博士后科学基金(批准号:2018M642290),国家自然青年科学基金(批准号:61804079),江苏省高等学校自然科学研究面上项目(批准号:18KJD510005),双创博士项目(批准号:CZ1060619001),江苏省研究生创新计划(

突触是生物神经系统的重要组成部分.忆阻器因具备连续可调的非线性电导,与连接强度可连续调节的生物突触极为相似,因此在构建人工突触及类脑系统方面引起了广泛研究.本文制备了Cu/MXene/SiO2/W结构的忆阻器,基于该器件的电学特性、尤其是电导的连续可调特性,构建人工突触单元并设计了神经形态电路.在该电路中,通过施加连续的电压脉冲,对人工突触单元进行训练,成功模仿实现了经典条件反射行为.这一工作将对未来基于忆阻器构建大规模神经形态系统以进行类脑智能运算具有重要的意义.