硅基PZT压电功能结构

• 作 者: 王蔚 田丽 刘晓为 任明远 张颖
• 机 构: 哈尔滨工业大学微电子科学与技术系,哈尔滨理工大学软件学院
• 出 处: 光学精密工程
• 发表日期: 2009年3期
• 关键词: PZT 压电功能结构 执行器元件 微机电系统 PZT piezoelectric function structure actuator component M
• 基金项目: 哈尔滨工业大学跨学科交叉性研究基金资助项目（No.HIT.MD2001.01）

为获得适合单片集成的硅基PZT压电功能结构，对近年PZT薄（厚）膜在MEMS领域的研究现状进行了综述分析，提出了一种新型的双杯PZT／Si膜片式功能结构。采用有限元方法对双杯PZT／Si膜片进行了结构优化，得到PZT和上下硅杯的结构优化值为DPZT：D1：D2=0．75：1．1：1，一阶模态谐振频率为13．2kHz。以氧化、双面光刻、各向异性刻蚀以及精密丝网印刷等工艺技术制作了双杯硅基PZT压电厚膜膜片，膜片具有压电驱动功能，PZT压电膜厚达80μm。实验表明，双杯PZT／Si膜片式功能结构的MEMS技术