【摘 要】
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对等离子化学气相淀积的氮化硅薄膜电特性进行了研究。在高电场范围,电传导主要是由Pool-Frenkel发射机构引起的。SiN薄膜的介电强度为5.2×10~6 V/cm。利用MNS电容器的平带
【机 构】
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西北电讯工程学院技术物理系,西北电讯工程学院技术物理系,西北电讯工程学院技术物理系,西北电讯工程学院技术物理系,
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对等离子化学气相淀积的氮化硅薄膜电特性进行了研究。在高电场范围,电传导主要是由Pool-Frenkel发射机构引起的。SiN薄膜的介电强度为5.2×10~6 V/cm。利用MNS电容器的平带电压,计算得界面态密度为3.1×10~(12)/cm~2·eV。
The electrical properties of silicon nitride films by plasma CVD were investigated. In the high electric field range, the electrical conduction is mainly caused by the Pool-Frenkel transmitter. The SiN film has a dielectric strength of 5.2 × 10 -6 V / cm. Using the flat band voltage of MNS capacitor, the calculated interface state density is 3.1 × 10 ~ (12) / cm ~ 2 · eV.
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