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以十甲基环五硅氧烷（D5）为硅源,采用化学气相沉积法（CVD）在SnO 2气体传感器表面沉积SiO 2膜作为改性层,研究了CVD处理过程中温度和处理时间对传感器的选择性和灵敏性影响。通过对乙醇、丙酮、苯和氢气的气敏性能测试,得出在500 ℃下CVD处理8 h后的SnO 2传感器对氢气具有最好的选择性和灵敏性。同时讨论了SiO 2改性层提高SnO 2传感器选择性和灵敏性的机理。