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【摘 要】
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采用单质Ｆｅ、Ｎｄ、Ｂ组成的靶，用对向靶溅射系统制备出了含有Ｎｄ２Ｆｅ１４Ｂ相的薄膜。发现Ｎｄ２Ｆｅ１４Ｂ相能够较好地形成的基板温度范围是５００℃￣６００℃。并且相对于热氧化硅基板（ＳｉＯ２／Ｓｉ），Ｎｄ２Ｆｅ１４Ｂ相能够较好地在Ｔａ基板上形成。
【机 构】
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兰州大学磁性材料研究所,信州大学情报工学科
【出 处】
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功能材料
【发表日期】
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1999年2期
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