寻求最终亚-50纳米CMOS器件结构(英文)

• 作 者: Rambhatla A Hackler D R Parke S A
• 机 构: 美国爱达荷州BOISE州立大学电气与计算机系,美国半导体有限公司,美国爱达荷州BOISE州立大学电气与计算机系 83725,爱达荷州,83725,爱达荷州,83725,爱达荷州
• 出 处: 南京师范大学学报(工程技术版)
• 发表日期: 2003年04期
• 关键词: 器件结构 CMOS器件 晶体管结构 非典型结构 heating Triple shoot

主要介绍了对各种非典型CMOS结构的研究 ,从而寻求最终的结构模式适应不断变化的CMOS发展技术 .

Mainly introduces the research of various atypical CMOS structures, so as to seek the final structural mode to adapt to the changing CMOS development technology.