类硅离子精细结构能级和辐射寿命

• 作 者: 王宛珏 王晓东 裴东 姜仁滨 张军
• 机 构: 兰州交通大学数理与软件工程学院,西北师范大学物电学院,新疆大学物理系
• 出 处: 原子与分子物理学报
• 发表日期: 2004年2期
• 关键词: 类硅离子 精细结构能级 辐射寿命 Si-like ions Fine-structure Radiative lifetime
• 基金项目: 国家自然科学基金，西北师范大学校科研和教改项目

用全相对论多组态自洽场方法,计算了类硅离子的1s、2s、2p-、2p 、3s、3p-、3p、3d-、3d、4s、4p-、4p、4d-、4d、4f-、4f、5s、5p-、5p、 5d-、5d、5f-、5f、5g-、5g、6s、6p-、6p轨道的912个精细结构能级和辐射寿命以及各种跃迁参数.能级的计算值和实验值符合得很好.从计算结果中发现了一些亚稳态能级.