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该发明专利是一种在异质衬底上大失配外延生长GaN单晶薄膜的方法。
制备氮化镓单晶薄膜的方法
【摘 要】
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该发明专利是一种在异质衬底上大失配外延生长GaN单晶薄膜的方法。
【机 构】
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中国科学院物理研究所
【出 处】
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科技开发动态
【发表日期】
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2004年12期
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