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介绍了半导体电阻式气敏元件工作原理，设计了一种基于MEMS工艺的薄膜气敏元件结构，此结构以Si3N4／SiO2／Si3N4复合薄膜作为支撑隔热层，蜿蜒状多晶硅作为加热层，梳状．Ag电极作为气敏薄膜信号电极，SiO2作为加热层与Ag电极的绝缘层，并在SiO2绝缘层上刻蚀通孔形成加热层与金属互连。该结构具有通用性，对不同气敏特性的材料均适用，且易于改进为组合结构或阵列结构。最后，对其工艺进行了阐述。