【摘 要】
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基于第一性原理,在密度泛函理论（DFT）框架下,采用广义梯度近似（GGA）进行校正,利用超软赝势（USPP）代替离子势,计算了几种典型的半导体材料,包括金刚石结构的C、Si、Ge,闪锌矿结构的G
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目（61372025）
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基于第一性原理,在密度泛函理论（DFT）框架下,采用广义梯度近似（GGA）进行校正,利用超软赝势（USPP）代替离子势,计算了几种典型的半导体材料,包括金刚石结构的C、Si、Ge,闪锌矿结构的GaAs、GaP、InP、CdTe、CdS和纤锌矿结构的GaN、ZnO半导体材料的能带结构。结合半导体材料的载流子有效质量计算公式,对能带极值附近点进行拟合,得到了有效质量的理论计算结果,并对计算结果的可靠性进行了讨论。通过与实验数据的对比,计算结果显示了较好的一致性。
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