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本文讨论了MOS器件表面迁移率的低温特性，研究了MOS器件电参数的低温特性，在此基础上提出了低温MOS器件的设计考虑。
低温微电子器件和电路——低温MOS器件的研究
【摘 要】
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本文讨论了MOS器件表面迁移率的低温特性，研究了MOS器件电参数的低温特性，在此基础上提出了低温MOS器件的设计考虑。
【机 构】
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东南大学微电子中心
【出 处】
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低温与超导
【发表日期】
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1989年3期
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