等离子体加热脱SiO2制取ZrO2的C—N—O图

• 作 者: 袁章福 潘贻芳
• 机 构: 北京科技大学,天津钢厂
• 出 处: 化工冶金
• 发表日期: 1997年4期
• 关键词: 等离子体加热 稳定型 氧化锆 脱硅 Plasma heating Desilicated zirconia Zirconium oxide SiCNO syst
• 基金项目: 国家科委“八五”科技攻关项目

在１５０ｋＷ等离子体装置中，制取脱硅锆（ＺｒＯ２８８．６０％～９６．９０％）和稳定型氧化锆（ＺｒＯ２９１．５４％，ＭｇＯ５．３９％）探讨了温度，时间和配碳量等对脱ＳｉＯ２率的影响，建立了Ｓｉ－Ｃ－Ｎ－Ｏ系和Ｚｒ－Ｃ－Ｎ－Ｏ系相平衡图，从理论上说明不具备生成Ｓｉ３Ｎ４的热力学条件，而在等离子体炉内的小区域具备生成ＺｒＣ和ＺｒＮ的条件，这些结论得到实验验证。