固体C70／GaAs接触的界面态及整流特性

• 作 者: 陈开茅 孙文红
• 机 构: 北京大学物理系
• 出 处: 功能材料与器件学报
• 发表日期: 2000年4期
• 关键词: 固体C70 GAAS 界面态 整流性质 空穴陷阱 Solid C70 GaAs Interface states Rectifying property
• 基金项目: 国家自然科学基金!资助项目 ( 19774 0 0 3)

在高真空系统中，将Ｃ７０膜淀积在（１００）晶向ｎ型和ｐ型ＧａＡｓ衬底上，形成固体Ｃ７０／ｎ－ＧａＡｓ和Ｃ７０／ｐ－ＧａＡｓ两种接触。电学测量表明两种接触均是强整流结，在偏压为±１Ｖ时，它们的整流比分别大于１０＾６和１０＾４，以及在固定正向偏压下，它们的电流都是温度倒数的指数函数，从中确定了它们的有效势垒高度分别为０．７８４ｅＶ和０．５３１ｅＶ。深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）和Ｃ－ｔ测量发现在Ｃ７０／Ｇａ