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相比于第一,第二代半导体,GaN 半导体材料具有禁带宽度大、击穿场强高、电子饱和速度大、导热性能好等优点。AlGaN/GaN HEMT 作为GaN 基电子器件的代表,在微波大功率领域有着广阔的应用前景。
AlGaN/GaN HEMT器件场板长度对击穿电压的影响
【摘 要】
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相比于第一,第二代半导体,GaN 半导体材料具有禁带宽度大、击穿场强高、电子饱和速度大、导热性能好等优点。AlGaN/GaN HEMT 作为GaN 基电子器件的代表,在微波大功率领域有着
【机 构】
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吉林建筑大学
【出 处】
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经济技术协作信息
【发表日期】
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2020年10期
【基金项目】
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吉林建筑大学大学生创新创业项目《GaN基器件场板长度对击穿电压的影响》资助
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