【摘 要】
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运用第一性原理方法计算了两种新型的g-C3N4的异质结g-C3N4/TiO2和g-C3N4/MoS2,其带隙分别为1.281和0.344eV,两者的带隙相比单层g-C3N4有所减小。两者的VBM主要由N2p电子构成
【机 构】
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常州大学石油化工学院江苏省绿色催化材料与技术重点实验室;蚌埠学院材料与化学工程学院;华东理工大学化学与分子工程学院;
【基金项目】
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江苏省自然科学基金资助项目(BK20150261);江苏省绿色催化材料与技术实验室开放课题基金资助项目(BM2012110);江苏省凹土资源利用重点实验室开放课题基金资助项目(HPK201505)
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运用第一性原理方法计算了两种新型的g-C3N4的异质结g-C3N4/TiO2和g-C3N4/MoS2,其带隙分别为1.281和0.344eV,两者的带隙相比单层g-C3N4有所减小。两者的VBM主要由N2p电子构成,CBM主要由Ti或Mo3d电子构成,并且两者的HOMO和LUMO都出现了层分离,使得电子空穴复合速度下降,提高了光催化效率。
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