【摘 要】
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报道了微波放电法在ＧａＡｓ表面生长ＧａＳ薄膜．用电容电压法（ＣＶ）、伏安法（ＩＶ）以及深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）等测试手段对ＧａＳ／ＧａＡｓ界面的电学性质进行了研究．ＧａＳ／ＧａＡｓ界面的ＣＶ特性反映此处的界面特性比较好，界面态密度约为１０１２／（ｃｍ２·
【机 构】
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复旦大学应用表面物理国家重点实验室
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报道了微波放电法在ＧａＡｓ表面生长ＧａＳ薄膜．用电容电压法（ＣＶ）、伏安法（ＩＶ）以及深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）等测试手段对ＧａＳ／ＧａＡｓ界面的电学性质进行了研究．ＧａＳ／ＧａＡｓ界面的ＣＶ特性反映此处的界面特性比较好，界面态密度约为１０１２／（ｃｍ２·ｅＶ）．ＤＬＴＳ的测试得到了与其一致的结果．另外，从ＩＶ曲线中漏电流的大小，估算出ＧａＳ的电阻率为１０１１Ω·ｃｍ
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