ICP-AES研究纳米TiO2材料对Ga,In,Tl的吸附性能

来源 :光谱学与光谱分析 | 被引量 : 0次 | 上传用户:howard88
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研究了纳米TiO2材料对Ga, In, Tl的吸附性能, 考察了吸附动力学、最佳酸度、富集倍数和吸附容量, 确定了待测金属离子的最佳吸附条件. 实验结果表明: 在最佳pH条件下, Ga, In, Tl能定量、快速地被吸附在纳米TiO2材料上; 其静态吸附容量为: Ga 48.6 mg·g-1, In 46.6 mg·g-1和 Tl 23.4 mg·g-1; 被吸附在纳米TiO2上的金属离子能采用 0.1 mol·L-1 EDTA+1.0 mol·L-1 H
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