巴斯夫将与IBM携手开发下一代IC电子材料

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巴斯夫日前宣布与IBM达成协议,共同开发先进集成电路生产过程中所需的电子材料。根据此协议,巴斯夫与IBM将开发化学解决方案,用于基于32纳米技术的高性能、节能型芯片的集成电路制造流程。该项技术及相关的化学品与材料预计最早于2010年由北美、亚洲与欧洲的半导体行业各大厂家 BASF has announced an agreement with IBM to jointly develop electronic materials needed in the production of advanced integrated circuits. Under the agreement, BASF and IBM will develop chemical solutions for the fabrication of integrated circuits based on 32-nanometer technology for high performance and energy-saving chips. The technology and related chemicals and materials are expected as early as in 2010 by the major semiconductor manufacturers in North America, Asia and Europe
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