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高度ＰＬｍａｐｐｉｎｇ均匀的ＳＩ－ＧａＡｓ单晶抛光片是在功率微波器件和大规模超高速数字集成电路的理想衬底。本工作对影响ＳＩ－ＧａＡｓ单晶抛光片均匀性的各种因素进行了研究。发现位错密度对晶体的宏观电阻率均匀性和微观均匀笥以及ＰＬ ｍａｐｐｉｎｇ均匀性有一定的影响；而晶体的ＡＢ－ＥＰＤ和热光工艺对ＰＬ ｍａｐｐｉｎｇ均匀性影响更大，ＡＢ－ＥＰＤ与热处理工艺有关。对实验现象进行了解释。