多晶硅太阳电池的氮化硅薄膜性能研究

• 作 者: 勾宪芳 许颖 任丙彦 马丽芬
• 机 构: 河北工业大学,北京市太阳能研究所,河北工业大学
• 出 处: 河北工业大学学报
• 发表日期: 2005年5期
• 关键词: 多晶硅 太阳电池 等离子体化学气相沉积 氮化硅 少子寿命 polycrystalline silicon solar cell Silicon nitrid
• 基金项目: 河北省科技厅科研项目

用等离子体化学气相沉积(PECYD)法,通过改变[SiH4:N2]/[NH3]的流量比沉积SiN薄膜.用椭圆偏振仪、准稳态光电导衰减法(QSSPCD)、X射线光电子能谱(XPS)、红外吸收光谱(IR)、反射谱,测试氮化硅薄膜的厚度、折射率、少子寿命、Si/N、氢含量、反射率.研究了多晶硅太阳电池沉积氮化硅薄膜的性能,结果发现:沉积温度350℃,沉积时间5 min,[SiH4:N2]/[NH3]=4:1时,沉积氮化硅硅片寿命高、氢含量高钝化效果好、反射率低.