【摘 要】
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本文介绍由日本真空技术株式会社开发的新型ITO膜溅射阴极——α阴极,同以往相比它具有诸如高靶材利用率、低溅射电压、高功率——高速率以及无需靶的清洗等优点,因此目前在SDP系列溅
【机 构】
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日本真空技术株式会社千叶超材料研究所
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本文介绍由日本真空技术株式会社开发的新型ITO膜溅射阴极——α阴极,同以往相比它具有诸如高靶材利用率、低溅射电压、高功率——高速率以及无需靶的清洗等优点,因此目前在SDP系列溅射设备中得到有效的利用
This article presents a new ITO film sputtered cathode-α cathode developed by Japan Vacuum Technology Co., Ltd. which has advantages such as high target utilization, low sputtering voltage, high power-high rate, and target-free cleaning And other advantages, so currently in the SDP series sputtering equipment to be effectively utilized
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