AuCl3/HgI2与Au/HgI2接触的I-V特性表征

• 作 者: 许岗 介万奇
• 机 构: 西安工业大学材料与化工学院,西北工业大学材料学院
• 出 处: 西安工业大学学报
• 发表日期: 2008年5期
• 关键词: 碘化汞 金 氯化金 电极 电压-电流特性 mercuric iodide Au AuCl3 contact I-V characteristics

利用4155型CVIV测试仪表征了分别采用蒸镀Au、涂敷氯金酸（AuCl3溶液）作为电极材料时HgI2晶体I-V特性.测试表明,采用Au电极和AuCl3电极所测量HgI2晶体的电阻率分别为6×10^11Ω.cm和8.1×10^11Ω.cm,欧姆接触特性值b为0.8341和1.0291.分析认为溅射Au工艺中的温度升高和真空度造成晶体表面质量下降,使Au/HgI2欧姆接触特性较差.AuCl3电极本质上是氯金酸分解产生Au单质并形成电极.由于电极制备工艺没有显著影响晶体表面质量,使AuCl