【摘 要】
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文章讨论的模型主要描述了铁电存储场效应晶体管(FEMFET)的I-V特性.从理论结果可反映出几何尺寸效应和材料参数对晶体管电特性的影响.传统的阈值电压的概念己不再适用,由于铁
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文章讨论的模型主要描述了铁电存储场效应晶体管(FEMFET)的I-V特性.从理论结果可反映出几何尺寸效应和材料参数对晶体管电特性的影响.传统的阈值电压的概念己不再适用,由于铁电层反偏偶极子的开关作用,自发极化的增加对存储器的工作状态产生很小的影响.该模型可用于设计和工艺参数的优化,并由直观原型的方法得到验证.
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