【摘 要】
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对半导体芯片技术的不同技术阶段和发展趋势进行了梳理,总结分析了芯片用钽阻挡层制备材料——钽靶材的技术现状和发展趋势;指出了在由8英寸晶圆用的8英寸钽靶材发展到目前最
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对半导体芯片技术的不同技术阶段和发展趋势进行了梳理,总结分析了芯片用钽阻挡层制备材料——钽靶材的技术现状和发展趋势;指出了在由8英寸晶圆用的8英寸钽靶材发展到目前最先进的12英寸晶圆用的12英寸钽靶材时,其织构要求发生的变化和织构控制的难点;论述了本研究小组通过对织构控制的关键工艺(锻造和轧制工艺)进行的实验,引入1000～1400℃加工变形温度,采用剧烈塑性变形(SPD)锻造和不对称轧制(WR)轧制技术,使用电子背散射衍射(EBSD)进行织构表征,使钽靶材的织构分布梯度减小,{100}织构组分比例提高,最终形成了2次热SPD锻造和WR轧制的钽靶材织构控制关键技术,而其中WR轧制技术起到决定性作用;通过本研究,攻克了12英寸钽靶材织构控制难题,得到了满足12英寸晶圆用的12英寸钽靶材,对推动12英寸钽靶材的产业化起到了有力的技术支持。
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