工艺参数对Ar+改性无氧铜表面形貌及二次电子发射的影响

• 作 者: 刘腊梅 赵世柯
• 机 构: 中国科学院电子学研究所,北京100190中国科学院研究生院 北京10009;中国科学院电子学研究所,北京,100190
• 出 处: 真空科学与技术学报
• 发表日期: 2012年10期
• 关键词: 无氧铜 离子束表面改性处理 二次电子发射系数 表面形貌

为了降低材料的二次电子发射系数,本文对高导电无氧铜(OFHC,简称无氧铜)进行离子束表面改性处理,并研究其最优工艺条件,重点考查了温度、时间等工艺参数对表面形貌以及二次电子发射系数(δ)的影响.利用扫描电镜、能谱仪等对表面形貌及成分进行分析并在此基础上对改性后样品的表面形貌形成机理进行了初步探讨.实验得出最佳工艺为:在600℃下离子束改性处理1h.该参数下处理的无氧铜样品的二次电子发射系数降低63.5％.