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本文在ＡＯＴ／异辛烷反胶束中合成了ＣｄＳ和ＺｎＳ半导体纳米粒子．粒子的荧光量子产率随胶束水含量的增大而减小．这可以归结为水含量增大导致胶粒表面Ｃｄ~（２＋）或Ｚｎ~（２＋）离子浓度降低，因为这两种离子在胶粒表面富集有利于形成硫空位，从而增大光生电子－空穴对的发光复合．研究发现，Ａｇ~＋离子可以有效猝灭ＣｄＳ和ＺｎＳ纳米粒子的荧光发射，该猝灭过程可以用Ａｇ~＋离子在胶束中的Ｐｏｉｓｓｏｎ分布来描述．以溶解在有机相中的ｐｙｒｅｎｅ作电子给体，在光激发下可以向ＣｄＳ粒子注入电子，而和ＺｎＳ粒子间没有电荷转移发生