【摘 要】
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采用有效质量近似下的变分法,考虑到电子同时与表面光学声子和体纵光学声子相互作用,研究了无限深量子阱中极化子的表面光学声子平均数,体纵光学声子平均数和光学声子平均数.
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采用有效质量近似下的变分法,考虑到电子同时与表面光学声子和体纵光学声子相互作用,研究了无限深量子阱中极化子的表面光学声子平均数,体纵光学声子平均数和光学声子平均数.讨论了电子与体纵光学声子耦合强度α,阱宽L和势垒材料AlxGa1-xAs中Al的含量x对上述光学声子平均数的影响.以GaAs/AlxGa1-xAs量子阱为例进行了数值计算.结果表明:量子阱中表面光学声子平均数随耦合强度α,阱宽L和Al含量x增大而增大.量子阱中体纵光学声子平均数随耦合强度α,阱宽L的增大而增大.光学声子平均数随耦合强度α,阱宽L和Al含量x的增大而增大.
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