【摘 要】
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<正> 回顾近半个世纪半导体的发展,无疑,硅材料器件及IC为代表的微电子技术起着核心作用。硅材料的超纯度、硅器件尺寸的微细度、硅IC的集成度神话般地呈现在世人面前。以“
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<正> 回顾近半个世纪半导体的发展,无疑,硅材料器件及IC为代表的微电子技术起着核心作用。硅材料的超纯度、硅器件尺寸的微细度、硅IC的集成度神话般地呈现在世人面前。以“硅文化”为心脏的计算机更是改变了传统产业、社会面貌乃至人们的生活。但是,硅亦有其局限性。由于其固有能带结构为间接带隙,非平衡载流子的本征寿命比直接带隙的砷化镓大三个数量级,载流子迁移率比砷化镓低得多,这些无疑都大大限制了硅微电子技术向更高速度进军。另外硅无法实现高效率发光和激光器件,因此在光电子领域也几乎都是化合物半导体的天下。
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