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采用自组装／源位还原法相结合制备了自支撑褶皱N-掺杂石墨烯薄膜。运用场发射扫描电镜、X射线粉末衍射和光电子能谱仪等表征手段对所制备的韧性薄膜进行了表征。电化学性能测试表明所制备的N-掺杂石墨烯薄膜具有良好的超电容特性：在1A／g的电流密度下，其比容量为210F／g；当电流密度增加10倍时，仍然具有初始容量的71．0％。在5A／g的电流密度下循环1000次后比容量值为原来的95．3％。