根据行为级模型方法对CMOS图像传感器的BJPG晶体管的分析

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本文提出一种新的用于CMOS图像传感器像素的光电检测器--双极结型光栅晶体管.由于引入p+n注入结,光电荷的读出速率大大增加,改善了CMOS图像传感器的工作速率和响应灵敏度.尽管传统的光电集成电路的电路级模拟采用微电子集成电路的模拟方法,但是光电子集成电路不仅含有微电子器件和电信号还含有光电检测器和光信号,采用传统的集成电路模拟方法有其局限性.本文提出一种行为级模拟方法(光电子检测器设计的新方法,利用C、MATLAB和HSPICE等语言写出光电子器件的模拟器)来模拟分析双极结型光栅晶体管的特性.基于0.6 μm CMOS工艺的分析结果表明双极结型光栅晶体管在不同栅氧化层厚度随栅压变化与传统光栅晶体管的特性一样,但光电流密度呈指数式增长且光电流密度增大,因此改善了CMOS图像传感器的工作速率和响应灵敏度.
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