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用电化学脉冲腐蚀方法制备了多孔硅微腔，讨论了脉冲电化学腐蚀的参数--周期、占空比对多孔硅多层膜制备的影响，并用了以HF酸扩散为基础的多孔硅动态腐蚀机理对实验结果进行解释，认为在用电化学脉冲腐蚀法制备多孔硅微腔的过程中，不但要考虑到HF酸对硅的纵向电流腐蚀，也要考虑到HF酸对多孔硅硅柱的横向浸泡腐蚀。可通过选取合适的周期、占空比，使二者对多孔硅的作用达到适中，以制备出高质量的多孔硅多层膜和微腔。并用正交实验法优化了制备多孔硅微腔的参数，根据优化的实验参数，制备出了发光峰半峰宽为6nm的多孔硅微腔。