【摘 要】
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SnO2在常温下禁带宽度为3.6eV,是一种具有紫外光响应的N型半导体,在光催化领域具有良好的应用前景;而SnO是一种典型的P型半导体材料,具有很大的空穴迁移率,是一种极具研究前
【基金项目】
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国家自然科学基金项目(21566014,21366014)
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SnO2在常温下禁带宽度为3.6eV,是一种具有紫外光响应的N型半导体,在光催化领域具有良好的应用前景;而SnO是一种典型的P型半导体材料,具有很大的空穴迁移率,是一种极具研究前景的光催化材料。通过简单的水热法制备了不同比例复合SnO/SnO2异质结材料。采用XRD、SEM、TEM和UV-Vis等对样品进行了系统表征,并考察了材料对甲基橙（MO）的光催化降解性能。XRD和TEM分析结果表明,复合材料是由约5nm的纳米晶粒组成。UV-Vis测试结果表明,SnO/SnO2异质结复合材料禁带宽度变小。光催化实验表明,复合材料在可见光区仍具有良好的光催化性能。
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