离子束溅射沉积制备高JcYBa2Cu3O7—δ超导薄膜

• 作 者: 陈国梁 任琮欣
• 机 构: 中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所200050,200050,200050
• 出 处: 低温物理学报
• 发表日期: 1991年1期
• 关键词: 离子束溅射 沉积 高Jc 超导薄膜
• 基金项目: 国家超导研究发展中心资助,,中国科学院的资助

本文报道应用离子束溅射沉积制备高 T_c 高 J_c YBa_2Cu_3O_(7-δ)超导薄膜.较详细地考察了影响薄膜组份比和晶粒取向的主要因素.实验表明采用本文提出的组合溅射靶可方便而又精确地调节薄膜 Y、Ba、Cu 组份比.详细描述了获得高度取向薄膜的工艺条件,获得了零电阻温度 T_(c0)=88～90.5K 和临界电流密度 J_c=1.5×10~3A/cm~2(77K)的 YBa_2Cu_3O_(7-δ)超导薄膜.