【摘 要】
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本文介绍了使大规模集成电路实现高密度化的新元件隔离方法。由于采用这种隔离方法,几乎不存在以往选择氧化法所固有的“鸟喙”问题,所以隔离区变窄,可集成大量的晶体管。由
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本文介绍了使大规模集成电路实现高密度化的新元件隔离方法。由于采用这种隔离方法,几乎不存在以往选择氧化法所固有的“鸟喙”问题,所以隔离区变窄,可集成大量的晶体管。由于能运用自如地使用反应离子腐蚀(RIE)工艺,所以能完成元件隔离。其中大多数试制实例均采用反应离子腐蚀工艺,反应性离子腐蚀的特点为无横向腐蚀。双极大规模集成电路最迫切希望采用这种隔离技术。
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