【摘 要】
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本文采用真空磁过滤弧沉积技术，在Ｓｉ（１１１）、石英及Ｔｉ／Ｃ衬底上制备得到非晶碳氮（ＣＮｘ）薄膜。采用卢瑟福背散射分析对薄膜的面密度及Ｎ含量进行定量计算。用紫外－可见透射光谱与红外反射光谱研究了薄
【机 构】
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中科院上海冶金研究所离子束开放研究实验室
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本文采用真空磁过滤弧沉积技术，在Ｓｉ（１１１）、石英及Ｔｉ／Ｃ衬底上制备得到非晶碳氮（ＣＮｘ）薄膜。采用卢瑟福背散射分析对薄膜的面密度及Ｎ含量进行定量计算。用紫外－可见透射光谱与红外反射光谱研究了薄膜的光学性能。结果表明：随着薄膜中氮含量的增加，碳氮薄膜的光学禁带宽度减小，红外反射率增加。另外，就不同氮气分压对薄膜结构的影响进行了研究。
In this paper, amorphous carbon nitride (CNx) thin films were prepared on Si (111), quartz and Ti / C substrates by vacuum magnetic filtration arc deposition. Rutherford backscattering analysis was used to quantitatively calculate the areal density and N content. The optical properties of the films were investigated by ultraviolet-visible transmission spectroscopy and infrared reflection spectroscopy. The results show that with the increase of nitrogen content, the optical band gap decreases and the infrared reflectivity increases. In addition, the effect of different partial pressure of nitrogen on the structure of the film was studied.
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